ASML泄漏，将在本年年末前交给业界首台高NA极紫外（ EUV ）曝光机，这对下一代EUV的开发是一个充溢希望的信号。这台机器是0.55孔径 (NA) Twinscan EXE:5000测验机型 ，是为芯片制作商开发的，以便他们学习怎么样高效地运用高NA极紫外光曝光技能。
在这些研制作业之后，估计将于2025年开端批次出产运用高NA的芯片，到时ASML将开端交给商业级Twinscan EXE:5200 。
ASML首席执行官Peter Wennink在承受路透社简略采访时说：“一些供货商在实践量产和向我们供给恰当水准的技能质量方面遇到了一些困难，因而导致了一些拖延。但事实上，第一批产品仍将在本年出货。”
现在，各种芯片厂中最先进的EUV曝光机是ASML的Twinscan NXE:3400C和NXE:3400D，装备0.33孔径 (NA) 光学镜片，分辨率为13纳米。这样的分辨率适合在金属距离介于30纳米和38纳米之间的制作技能上打印芯片。
但是，当金属距离降至30纳米以下（节点超越5纳米）时，13纳米的分辨率就不够用了，芯片制作商将不得已运用EUV双图画化和/或图画成型技能。考虑到EUV双图画化既贵重又充溢危险，业界正在开发NA值为0.55的High-NA EUV扫描仪，以完成8纳米分辨率，用于十年后半期的制作技能。
ASML的高NA曝光机将再次改动半导体工厂的组态，因为它们不只采用了新的光学技能，还需求新的更大的光源，这就需求新的工厂结构，因而导致很多出资。有各种报导指出，每台曝光机的出资将从0.33 NA EUV扫描仪的2亿多美元增加到近4亿美元。
Intel本来方案在其18A（1.8纳米）出产节点上运用ASML的High-NA东西，该节点定于2025年进行大批次出产，与ASML估计交给Twinscan EXE:5200的时刻相吻合。但是，Intel后来将其18A出产的开端时刻推延到了2024年下半年，显然是挑选运用ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E的两次曝光技能，以及运用资料公司的Endura Sculpta图画成型体系，以削减EUV双图画化的运用。
Intel估计将成为ASML High-NA曝光机的第一批客户，因而当Intel在本年时分收到该设备时，其研制人员和工程师将可以根据行将推出的出产东西调整Intel的技能。考虑到这些东西与Intel自己的制程节点方案之间的时刻差，他们将如何以及何时将这些东西创立到自己的技能中现在仍是个未知数。因为18A估计将是一个长时间节点，英特尔或许仍方案在其中运用High-NA EUV，即便这一方案一开端并不可行。
与此同时，三星和台积电方案于2025年末开端在其2纳米级节点（SF2、N2）上出产芯片。不过，High-NA机器在它们的方案中终究占多大比重依然不为人所知。